Công nghệ mới giúp mật độ ổ cứng cao hơn 12,5 lần hiện tại

Phương pháp lưu trữ này cho phép tạo ra các ô nhớ chỉ 3 nanometer nhưng có thể đạt mật độ tới 10 terabyte/inch vuông trong khi kỷ lục hiện nay là 803 gigabyte.

Hai chuyên gia Thomas Russell và Ting Xu thuộc Đại học California (Mỹ) đã sử dụng cơ chế tự lắp ráp các chuỗi polymer không đồng dạng để sắp xếp lại thành các tập hợp bình thường. Nhờ đó, họ đã xây dựng được những vùng 3 nm với khả năng lưu dữ liệu khổng lồ. 

Kỹ thuật mới còn hữu ích trong các thiết kế mạch vòng vì nó không cần phụ thuộc vào công nghệ quang khắc, hay còn gọi là quang thạch bản (photolithography - được dùng trong công nghệ bán dẫn và vi điện tử nhằm tạo ra các chi tiết của linh kiện nhờ bức xạ ánh sáng làm biến đổi các chất cảm quang phủ trên bề mặt).

Tuy nhiên, mọi phát minh đều vô nghĩa nếu chúng không thể vươn ra ngoài phòng thí nghiệm. Nhưng Xu khẳng định điểm mạnh của phương pháp này là có thể được áp dụng ngay trên những quy trình đang hoạt động trong ngành công nghiệp, tức được đưa vào dây chuyền sản xuất với giá thấp.

Hơn nữa, kỹ thuật mới cũng giúp bảo vệ môi trường vì nó không chưa axit và các chất hóa học độc hại khác.